本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ>10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法(FTIR法,Nicolet410)测氧,而后用GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度.实验发现用GFA法和FTIR法测氧,二者的结果成很好的线性关系,为便于比较可将重掺硅在GFA法下的测定结果转换为FTIR法下的测定结果,文章还对影响GFA测定结果的
本文描述了砷化镓单晶中缺陷的种类及其对器件性能的影响,并简介其腐蚀、分析法.
本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.
本文详细的分析了集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式之一:GDSⅡ文件格式.由于GDSⅡ文件是二进制格式,无法用文本编辑器来看,可读性差,本文试图通过实例分析的方法解读GDSⅡ格式文件,以得到对GDSⅡ格式深入的了解.
本文重点介绍微光刻技术图形数据处理及数据转换体系.包括微光刻技术需要处理的图形数据类型,常用的图形数据处理及图形编辑软件,特殊图形数据处理技术,常用的图形数据格式及数据格式转换技术.
在利用Cadence公司的EDA工具进行基于高层次逻辑综合的自顶向下的集成电路设计时,描述标准逻辑单元时序参数的TLF文件是必不可少的.本文介绍了基于UNIX编程环境进行的一种用于TLF文件自动生成的EDA工具的开发过程.
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGe PMOS研制,其300K常温和77K低温下跨导分别达到45ms/mm和92.5ms/mm.(W/L=20μm/2μm).