CVI工艺对C/SiC复合材料性能的影响

• 作 者: 宋麦丽;邹武;王涛;闫联生;余惠琴;王抗利;
• 机 构: 中国航天科技集团第四研究院四十三所(西安)
• 出 处: 第18届炭-石墨材料学术会
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: CIV-SiC基体 SEM和XRD分析 微观结构

该文通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分，结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面温度在职1100℃以上,沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外，反应气体流量对SiC基体和复合材料性能有很大影响。该文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI-SiC工艺。