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AlGaNGaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
AlGaNGaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
来源 :首届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hecheng555
【摘 要】
:
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析
【作 者】
:
李亮
周建军
刘斌
韩平
江若琏
顾书林
施毅
龚海梅
郑有炓
张荣
谢自力
张禹
修向前
姬小利
刘成祥
毕朝霞
陈琳
【机 构】
:
江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏,南京,210093中国科学院上海技术物理研究所,上海,200080江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏,南京,210093;北
【出 处】
:
首届全国先进焦平面技术研讨会
【发表日期】
:
2005年8期
【关键词】
:
AlGaN
GaN
分布布拉格反射镜
MOCVD
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文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了AlxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌.
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