【摘 要】
：
Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜在传感、驱动、声表面波、信息存储等器件中有重要的应用.PZT 薄膜的畴结构对器件的性能有很大的影响.最近,通过对薄膜施加一个应变梯度,利用挠曲电效应翻转铁电畴取得了突破,为力/电耦合的新型器件提供了新思路.通常,挠曲电效应只在10 纳米以下厚度的超薄膜中才比较明显.我们观察到,在沉积于DyScO3衬底上的70 纳米厚多畴PZT 薄膜中可以用原子力显微探针施加
【机 构】
：
南京大学固体微结构物理国家重点实验室,江苏南京,210093;南京大学现代工程与应用科学学院,江苏南京,210093
论文部分内容阅读
Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜在传感、驱动、声表面波、信息存储等器件中有重要的应用.PZT 薄膜的畴结构对器件的性能有很大的影响.最近,通过对薄膜施加一个应变梯度,利用挠曲电效应翻转铁电畴取得了突破,为力/电耦合的新型器件提供了新思路.通常,挠曲电效应只在10 纳米以下厚度的超薄膜中才比较明显.我们观察到,在沉积于DyScO3衬底上的70 纳米厚多畴PZT 薄膜中可以用原子力显微探针施加应变梯度,精确地控制亚稳a 畴的产生,并实现c 畴的180°翻转.与沉积于SrTiO3 衬底上的单畴PZT 薄膜相比,a/c 多畴薄膜中畴翻转的势垒较小,因此可以在较厚的薄膜中实现挠曲电翻转.
其他文献
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备的TiN 薄膜性能优异、应用广泛,但存在沉积速率低[1],残余应力高[2]两个问题.为了解决这两个问题,本文采用HPPMS 技术,在不同靶面磁场强度(40 和115 mT)和溅射气压(0.2,1.0 和2.0 Pa)下反应溅射沉积TiN薄膜.利用示波器和原子发射光谱研究了TiN 薄膜沉积过程中的靶材放电属性和等离子体组分,采用台阶仪、X 射线衍射技术(XRD)、
氮化铝(AlN)薄膜在表面声波器件(SAW)中应用广泛[1],其表面形貌和微观结构对SAW 器件的性能有重要影响；而高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)[2]具有离化率高,沉积的薄膜结构致密、表面光滑等优点。因此,本文采用HiPIMS 技术溅射铝(Al)靶,在反应气氛(Ar+N2)中沉积AlN 薄膜。利用示波器和原子发射光谱研究了脉宽及N2 气流量对靶材溅射模式[3]和等离子体组分的影响；采用轮廓仪
本工作系统研究了醇水润滑条件下Al-Mg-Ti-B 涂层的摩擦特性和摩擦化学机制,发现Al-Mg-Ti-B 涂层有一个稳定的低摩擦系数值可达0.02,这个值并不受所加载荷大小的影响,但随着载荷的增加,Al-Mg-Ti-B 涂层的摩擦系数下降速度变快,通过SEM 和EDX观察到磨擦过程主要是抛光的效果.并探究了紫外辐照对Al-Mg-Ti-B 涂层表面化学态和摩擦性能的影响,XPS 结果显示紫外辐照处
材料制备技术的进步和微电子技术的发展推动了人类社会全面进入信息时代。自旋电子学的兴起，给微电子器件的应用带来了革命性的进步。基于巨磁电阻(GMR)和隧道磁电阻(TMR)效应的磁随机存储器(MRAM)具有较大的发展潜力，引起了研究学者和微电子行业的广泛关注。随着信息技术的发展，人们对自旋电子学器件的高密度、低能耗和读写速度等提出了更高的要求。反铁磁材料相对传统的铁磁材料而言，由于其没有铁磁残余场，对
为提高金属材料的抗砂粒冲蚀能力,采用物理气相沉积技术在材料表面制备硬质防护薄膜是解决该难题的有效途径之一.然而在材料表面制备薄膜不可避免地存在残余应力,特别是硬质薄膜通常存在GPa级的残余应力.当薄膜中残余应力较大时,会导致薄膜开裂或剥落,甚至有可能损坏基体.为了降低薄膜残余应力,科技工作者进行了各种尝试,目前主要采用沉积过渡层、多层结构和退火热处理等途径来降低薄膜残余应力.本文采用真空阴极电弧技
虽然目前针对CVD 方法对石墨烯制备的研究已经取得较大进展，但仍存在一些相关问题。目前对于低压化学气相沉积(LPCVD)方法来说，其对设备要求较高，制备成本较高。利用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备出的石墨烯性能目前未能达到工业应用水平，对其生长条件，生长参数的调节影响研究待进一步深入探讨。本文采用APCVD 方法，以铜箔为基底，维持气体总流量不变，对不同气体配比对生长石墨烯质量的影响进行研
Amorphous oxide semiconductors(AOSs)are considered as the most promising channel materials for thin-film transistors(TFTs)due to their advantages of high mobility,good transparency in the visible regi
对于光电半导体而言,透明电极的性能直接决定了器件的载流子注入效率以及光电转换特性。目前,产业界普遍采用ITO(In2O3：Sn)透明电极,但In 金属属于稀有资源,有毒且价格昂贵。近年来,由于具有优异的物化性能,石墨烯作为一种新型的透明电极材料取代ITO 迅速成为科研热点。其中,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)法可得到连续均匀的大面积石墨烯薄膜,被认为是石
NaxZn1-xO thin films were successfully synthesized on quartz glass substrates by sol-gel method.The effect of Na content on the microstructure,optical properties and UV photoresponse of sol-gel the th
The unique complementary switching behaviour of complementary resistive switches(CRSs)makes them very attractive for logic applications.The implementation of complete Boolean logic functions in a sing