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本文选取常用的Ga-面AlGaN/GaN结构作为研究对象,计算了自发极化与压电极化产生的总的界面电荷与2DEG密度,得出了2DEG面电阻的值.
自发极化与压电极化诱导AlGaN/GaN 2DEG计算
【摘 要】
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本文选取常用的Ga-面AlGaN/GaN结构作为研究对象,计算了自发极化与压电极化产生的总的界面电荷与2DEG密度,得出了2DEG面电阻的值.
【机 构】
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中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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