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用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可见光栅光谱仪对所得材料进行了表征测量.
厚膜GaN衬底上的GaN生长及特性研究
【摘 要】
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用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可
【机 构】
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中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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