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利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论。
4H-SiC日盲紫外探测器的模拟与分析
【摘 要】
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利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论。
【机 构】
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西安电子科技大学 微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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