弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

• 作 者: 杨恢东[1]黄君凯[1]吴春亚[2]熊绍珍[2]耿新华[2]
• 机 构: 暨南大学电子工程系,广东广州,510632
• 出 处: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
• 发表日期: 2004年期

本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备氢化微晶硅薄膜（μc-Si:H）的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现：随着弱硼补偿剂量的增大，μc-Si:H 薄膜的沉积速率先缓慢减小，然后再缓慢增加，变化范围为0.7nm/s~0.8nm/s；μc-Si:H 薄膜的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸随着弱硼补偿剂量的增大，呈现出先增后减的变化，而且变化的幅度较大，当剂量大于25ppm 时，过量的补偿剂量使得μc-Si:H 薄膜的结晶状况恶化；此外，光敏性、暗电导及电导激活能测量的结果进一步表明：弱硼补偿显著影响μc-Si:H 薄膜的光电特性，弱硼补偿剂量为25ppm 左右时，材料的光电特性最为理想。因此，严格控制弱硼补偿剂量以实现其最优化是获得本征微晶硅材料的有效途径。