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本工作在1.7MV 串列加速器的注入器中建立了团簇离子束注入装置,在磁分析器内部安装静电扫描器,用改进的法拉第杯作为注入靶室,用铯溅射负离子源产生碳团簇(C1-C10)离子束,进行能量为0.6-20keV/atom 的低能离子注入,辅以热退火、淬火处理,成功地制备了几个原子层厚度的graphene 样品,为制备单层或者双层石墨烯创造了条件.