【摘 要】
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利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(RS)为4068Ωμm.经过退火处理后,室温磁电阻
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)
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利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm<2>的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(RS)为4068Ωμm<2>.经过退火处理后,室温磁电阻达到49.1﹪,RS为6325Ωμm<2>,自出层的反转场为50Oe.结果表明,这种利用光刻去胶法制备的钉扎型磁性隧道结可以用于制备磁随机存储器(MRAM)的存储单元或其它磁敏传感器的探测单元.
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