【摘 要】
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围绕新型高发射浸渍扩散阴极,开展了阴极性能改进、寿命考核、微区发射分析以及上管试用等研究.新制备的阴极在水冷阳极二极管和1100℃B条件下,脉冲和直流发射电流密度分别达
【机 构】
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中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京100190
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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围绕新型高发射浸渍扩散阴极,开展了阴极性能改进、寿命考核、微区发射分析以及上管试用等研究.新制备的阴极在水冷阳极二极管和1100℃B条件下,脉冲和直流发射电流密度分别达到280A/cm2和30A/cm2;新阴极在12A/cm2直流负荷下的寿命超过2000小时;新阴极在250℃下多孔钨颗粒表面、孔隙边缘和孔隙内的活性物质都已开始发射电子;阴极装配至一只漏率为9x10-8Pa.m3.s-1的30注多注速调管中,在0.5～2.5％工作比和30-40kV高压下累计测试44小时,经历放电过流和钛泵保护66次,阴极发射性能仍满足16-18A/cm2的使用要求.
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