【摘 要】
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AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁移率都有很大的影响，从而影响到HEMT器件的性能。本文提出用AlN层隔绝0的并入来抑制非故意掺杂的GaN背景载流子浓度，并且再使用二步生长法对AlN隔离层上生长的GaN结晶质量进行优化的方法，制造出高质量的半绝缘的GaN模板，并研究了二步生长法对提高GaN层结晶质量的作用机制。
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