【摘 要】
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本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下的结构质量退化,从而能够提高2DEG浓度和迁移率。霍尔测试表明,AIGaN/lnAlN/AlN/GaN结构在855℃比较稳定。但是,当温度进一步升高时,InAlN的晶体质量退化不可避免。
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