【摘 要】
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本文设计并实现了在多量子阱(MQWs)和上层的p-GaN之间加入特殊电子阻挡层(EBLs)的GaN基LED.该电子阻挡层包含厚度从1nm至10nm变化的Mg掺杂p-AlGaN层和厚度固定在1nm的p-GaN层
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
【出 处】
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2014中国长三角照明科技论坛暨上海市照明学会会员大会
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本文设计并实现了在多量子阱(MQWs)和上层的p-GaN之间加入特殊电子阻挡层(EBLs)的GaN基LED.该电子阻挡层包含厚度从1nm至10nm变化的Mg掺杂p-AlGaN层和厚度固定在1nm的p-GaN层构成的p-A1GaN/GaN超晶格.结果表明,在2000V条件下,随着电子阻挡层中p-A1GaN层厚度从1nm增加到10nm,抗静电能力从61.98％增加到99.51％.当电子阻挡层中p-AlGaN层厚度为9nm,注入电流为20mA时,此时LED的抗静电能力达到97.80％,光输出功率和正向电压分别达到最大值和最小值.实验发现,采用9nm厚p-A1GaN层和1nm厚p-GaN层构成的p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层可以实现具有高亮度、高抗静电能力和低正向工作电压GaN基LED.
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