直流磁控反应溅射制作Ta<,2>O<,5>的工艺和电学特性研究

• 作 者: 徐毅[1]曹兆铿[1]刘逸忠[1]肖田[1]李德杰[2]
• 机 构: 广电电子股份有限公司平板显示技术研发中心(上海)
• 出 处: 2004中国平板显示学术会议
• 发表日期: 2004年期

在做完底电极的玻璃上,在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽.用XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结合能,并用MIM结构测试了电学性能.随着氩氧比的变化其介电常数在19到68范围内变化,质量好的薄膜(在氧氩比为1:1时获得的薄膜)在0.5MV/cm的电场下其漏电密度小于10nA/cm<2>,击穿场强高于2MV/cm.