【摘 要】
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本文探索了以电子束直写曝光方法制备高质量纳米点阵列的最优化工艺及金属纳米点阵列的应用.通过电子束直写系统对涂有PMMA胶、PMMA/MMA双层胶和PMMA/LOR双层胶的硅基片进行
【机 构】
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中国科学院物理研究所微加工实验室,北京,100080
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文探索了以电子束直写曝光方法制备高质量纳米点阵列的最优化工艺及金属纳米点阵列的应用.通过电子束直写系统对涂有PMMA胶、PMMA/MMA双层胶和PMMA/LOR双层胶的硅基片进行曝光,经过显影、金属沉积以及溶脱等工艺得到的金属纳米点阵列,通过SEM观察、改变相应的工艺条件获得了制备高质量的无边壁金属纳米点阵的最优工艺参数.此外,我们利用金属纳米点阵作为催化剂制备出了高取向性的点阵排布碳纳米管阵列,并且研究了金属催化剂点直径对碳纳米管单根性的影响.结果表明通过PMMA/MMA双层胶和PMMA/LOR双层胶曝光能够获得高质量的金属纳米点阵列,当金属催化剂点直径小于50纳米时通过等离子辅助化学气相沉积方法可以制备单根碳纳米管阵列.金属纳米点阵列的成功制备可以在磁学以及磁性材料方面有很大的价值,碳纳米管可以在场发射显示器、集成电路等方面有广泛的应用前景.
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