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本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.
电子束制作3mm器件0.1μm T型栅的研究
【摘 要】
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本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2005年期
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