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850℃工业陶瓷铂电阻元件的研制
【机 构】
:
中国科学院电子所
【出 处】
:
中国计量测试学会全国电阻测温学术讨论会
【发表日期】
:
1988年期
其他文献
射频溅射SiC薄膜在173°K~573°K温区的直流电导微微弯曲,激活能随温度变化。温度高于573°K,激活能为0.86eV,低于273°K,激活能为0.24eV。电导曲线弯曲是多渠道导电的结果。交流