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射频溅射SiC薄膜在173°K～573°K温区的直流电导微微弯曲，激活能随温度变化。温度高于573°K，激活能为0.86eV，低于273°K，激活能为0.24eV。电导曲线弯曲是多渠道导电的结果。交流电导与频率无关，呈现出明显的扩展态导电；273°K～573°K温区，电导由迁移率边附近定域态间载流子的跳跃引起，在273°K～173°K温区，则是弗米能级附近定域态间的跳跃电导占优势。根据直流电导和交流特性，可以推断SiC薄膜具有CFO能带结构。（本刊录）