【摘 要】
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分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时
【机 构】
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南京大学电子工程学院江苏省光电信息功能材料重点试验室,南京 210093
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAo和SiO2膜的样品出光效率均得到了增强。AAO膜增强效果比SiO2膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子(E)达到3.5,强度积分增强因子(Ei)达到2.29;覆盖SiO2膜的样品在某波长处的最大增强因子为1.7,强度积分增强因子为1.47。AAO薄膜覆盖的样品出光增强因子(包括E和Ei)随着孔隙率的减小而增加,表明AAO膜中的纳米结构对出光增强起着非常重要的作用。
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