【摘 要】
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采用RIBER Epineat分子束外延系统,4英寸Ge(211)衬底首先经过脱氧,As束流保护下进行表面钝化,250℃生长一层Zn极性控制层,固定生长面为(211)B极性面,控制生长温度在300℃±5
【机 构】
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昆明物理研究所,云南昆明650223
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采用RIBER Epineat分子束外延系统,4英寸Ge(211)衬底首先经过脱氧,As束流保护下进行表面钝化,250℃生长一层Zn极性控制层,固定生长面为(211)B极性面,控制生长温度在300℃±5℃生长了10μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe薄膜表面镜面光亮,200×显微镜下观察表面平整;4英寸范围厚度平均值9.72μm,偏差0.3μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迥摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23arcsec,偏差3.03arcsec;EPD平均值为4.5×106cm-2.通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9μm.
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