【摘 要】
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稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入，能有效增强自旋轨道分裂，减小禁带宽度，可用于制备多种光电子器件，引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室
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稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入，能有效增强自旋轨道分裂，减小禁带宽度，可用于制备多种光电子器件，引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材料应变，能够有效地调节材料的发光波长.K.Wang等人首次采用气态分子束外延方法成功制备了InPBi薄膜，并实现了在1.4～2.7um范围的室温发光[4]，可用于制备光学相干层析技术(OCT)中的宽光谱光源.研究生长参数对于InPBi薄膜的晶体质量、电学及光学性能的影响，揭示材料发光机制，进一步拓宽材料发光范围，对InPBi材料在OCT中的实际应用具有重要意义.
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