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夹杂MoSi＃-[2]、WC粒子Si＃-[3]N＃-[4]陶瓷的断裂行为及无损表征
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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第三届中国青年材料科学研讨会
【发表日期】
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1991年期
其他文献
利用透射电镜分析了采用ＬＰＣＶＤ法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系，首次报导了利用ＬＰＣＶＤ方法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜中存在着微观的取向结构，并通过ＳｉＮ〈，Ｘ〉的背腐蚀结果确定该结构与ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的