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用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰宽为315弧秒，比平面衬底小38％。在室温AMl.5G条件下对制作的两种电池进行了光电转换效率测试。与平面衬底相比，图形衬底上制作的电池的短路电流密度大约60％。结果表明，图形衬底技术可以有效缓解lnGaN电池目前存在的高位错密度和吸收层厚度较薄导致的短路电流较小的问题，从而有望提高太阳能电池的转换效率。