【摘 要】
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本文主要研究了大直径硅单晶体中氧沉淀的长大对空洞型原生缺陷(FPD)的影响,在此基础上的讨论了空洞型原生缺陷的消除机理.实验结果表明了硅单晶体内氧沉淀的长大对晶体体内
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文主要研究了大直径硅单晶体中氧沉淀的长大对空洞型原生缺陷(FPD)的影响,在此基础上的讨论了空洞型原生缺陷的消除机理.实验结果表明了硅单晶体内氧沉淀的长大对晶体体内空洞型原生缺陷(FPD)无影响,这是由于在硅晶体体内,原生void缺陷内壁氧化膜在退火过程中不能被消除,它阻止了由氧沉淀长大所释放的自间隙硅原子进行void缺陷内部,使void缺陷无法被消除.这些自间隙硅原子在退火过程中将最终形成了自间隙型位错环和层错,或者以过饱和的状态存在于晶体体内.所以,void缺陷被消除的首要条件是其内壁氧化膜的消除,然后由表面氧化或氧沉淀长大所释放的自间隙硅原子注入无内壁氧化膜的voids,而使void缺陷消除.
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