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高功率氮化镓(GaN)基半导体电子器件的进一步发展受到其低热导率及高界面热阻的限制。采用和氮化镓结合紧密的高热导合成金刚石衬底可实质性改善其散热问题。本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术通过在氮化镓表面注碳的方法研究了金刚石/氮化镓复合薄膜的制备。
氮化镓表面注碳法金刚石薄膜的沉积
【摘 要】
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高功率氮化镓(GaN)基半导体电子器件的进一步发展受到其低热导率及高界面热阻的限制。采用和氮化镓结合紧密的高热导合成金刚石衬底可实质性改善其散热问题。本文采用微
【机 构】
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山东省科学院能源研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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