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ZnO作为一种重要的金属氧化物半导体材料,在光电、压电、气敏等方面的性能和应用研究,受到了相关领域研究人员的广泛关注,特别是其具有直接带隙3.4eV和大激子结合能60meV,在蓝色到紫外(UV)光谱部分的激发/探测及高功率、耐高温器件上得到大规模应用.
ZnO:Ga晶体的水热法生长及性能研究
【摘 要】
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ZnO作为一种重要的金属氧化物半导体材料,在光电、压电、气敏等方面的性能和应用研究,受到了相关领域研究人员的广泛关注,特别是其具有直接带隙3.4eV和大激子结合能60meV
【机 构】
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国家特种矿物材料工程技术研究中心
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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