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Zn2+对KDP晶体生长及性能的影响

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenwu2005
【摘 要】
：
　　KDP晶体是一种性能优良的非线性电光材料，是惯性约束核聚变(ICF)中变频和电光开关的首选材料.金属杂质离子对其生长和性能有着重要的影.Zn2+是KDP原料中普遍存在的一种杂
【作 者】
：
秦梦飞 王波 
【机 构】
：
山东大学晶体材料研究所
【出 处】
：
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
：
2015年期
【关键词】
：
KDP晶体 生长法 性能 杂质离子 掺杂浓度 惯性约束核聚变 金属杂质 过饱和度 
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　　KDP晶体是一种性能优良的非线性电光材料，是惯性约束核聚变(ICF)中变频和电光开关的首选材料.金属杂质离子对其生长和性能有着重要的影.Zn2+是KDP原料中普遍存在的一种杂质离子，本文采用传统降温生长法和“点籽晶”快速生长法，在不同过饱和度及不同Zn2+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体，定量研究了不同Zn2+掺杂浓度对KDP晶体生长和性能的影响.
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