【摘 要】
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利用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上制备了不同Cu/In摩尔比的CuInS2薄膜(简称为CIS)。通过能谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和可见光吸收谱仪对制备的薄膜进
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
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利用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上制备了不同Cu/In摩尔比的CuInS2薄膜(简称为CIS)。通过能谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和可见光吸收谱仪对制备的薄膜进行了表征,分别研究了Cu/In摩尔比对薄膜成分、形貌、物相和光学性能的影响。实验结果表明当Cu/In摩尔比为0.875时,可得到均匀致密、结晶性好、杂相较少、吸收性能较好的CIS薄膜,其禁带宽度约为1.47eV,具有高的吸收系数。
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