石墨浆作背接触层的碲化镉太阳电池的光照特性研究

• 作 者: 杨培;蔡伟;雷智;冯良桓;张静全;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;
• 机 构: 四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064
• 出 处: 第十届中国太阳能光伏会议
• 发表日期: 2008年期

背电极的制备是发展高效率、低成本的碲化镉薄膜太阳电池的关键环节之一。目前,世界上采用石墨浆作背接触层,制备出了世界上最高效率的碲化镉薄膜太阳电池。研究该结构的碲化镉薄膜太阳电池的光照特性对电池的实际应用有指导意义。文中首先讲述该结构的大面积碲化镉太阳电池组件的效率随太阳光照时间的变化。接着研究了该结构的小面积碲化镉太阳电池在发光二极管光照前后的光、暗I-V特性,发现光照后电池的效率得到了提高,且电池的二极管特性得到了改善；通过对发光二极管光照过程中I-V曲线的分析,表明光照时间的增加使得电池的体电阻下降。最后在高频和低频的情况下,分别分析了暗态和光照中的电池的C-V特性,表明电池中存在着深能级捕获态,它的存在使得光照时对电容有贡献的载流子浓度增加。通过这些分析,文中提出光照下电池体电阻的下降以及深能级捕获态的存在使得光照后电池的效率得到提高。