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研究人员开发了一种新型的CMOS工艺技术，实现了在CMOSIC制造中嵌入EEPROM的制造技术。此新工艺制造的是双层多晶硅的EEPLD，与传统的双层多晶硅EEPROM的工艺相比，减少了20的工序。采用80埃的超薄栅隧道氧化层。用这种技术制造的EEPROM存贮单元，隧道窗口为1.4×1.4um2经过100万次擦写试验，性能仍然良好。单片集成电路成品率达90。