立方相GaN外延材料的研究

• 作 者: 杨辉 郑联喜
• 机 构: 科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心(北京)
• 出 处: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 立方相 双晶衍射 扫描 结构性质 光学质量 方法 衍射峰 散射谱 室温 人员 检测 光谱 带边 纯度 材料

研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin，w扫描FWHM为20arcmin。室温PL光谱有很强的立方相GaN带边峰，其FWHM为53meV。