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该文从电离辐射CMOS使电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主要对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使该所研制的电路抗辐射能力达到3×10<3>Gy(Si)。
CMOS电路电离辐射加因设计
【摘 要】
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该文从电离辐射CMOS使电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主要对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使该所研制的电路抗辐射能力达到3×1
【机 构】
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东北微电子研究所
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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该文从电离辐射使CMOS电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主工对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使作者所研制的电路抗辐射能力达到3