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利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定具有指导意义.
InP基HEMT的自洽计算模型
【摘 要】
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利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓
【机 构】
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中国科学院半导体所材料中心(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2004年8期
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