【摘 要】
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AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步.利用此项技术形成的氧化孔可实现器件的横向光、电限制,大大提高了器件的性能.氧化孔的大小会直接影
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步.利用此项技术形成的氧化孔可实现器件的横向光、电限制,大大提高了器件的性能.氧化孔的大小会直接影响到器件的各个特性参数,必须实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小.我们根据大量氧化实验得到的一般氧化规律及各种实验现象,结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,加以适当的推导化简,得到了简单实用的二维氧化模型,并成功地运用此模型指导我们实现了氧化孔大小的可控性.
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