【摘 要】
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随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信系统需要高温下不带致冷器工作的激光器.AlGaInAs/InP材料的导带偏移为△Ec=0.72△Eg,InGaAsP/InP材料的△Ec=0.4△Eg[1,2],所以AlGaInA
【机 构】
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中国电子科技集团第十三研究所,石家庄050000
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随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信系统需要高温下不带致冷器工作的激光器.AlGaInAs/InP材料的导带偏移为△Ec=0.72△Eg,InGaAsP/InP材料的△Ec=0.4△Eg[1,2],所以AlGaInAs/InP材料能更有效地阻止高温、大注入下载流子的泄漏,改善材料高温特性,AlGaInAs/InP材料体系在1.3μ m和1.55μ m激光器结构中得到广泛的应用.本文设计制作了适于无制冷工作的通讯用1.55 μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究.
其他文献
难熔金属以其高熔点、高硬度、高强度等独特的性能得到了广泛的应用。难熔金属主要包括钨、钼、铼、铌、钽、铬、钛、锆、铪等。本文简述了难熔金属钨、钼、铼制品的主要制备方法及其高温机械性能、电热性能。并重点介绍钨、钼、铼制品在MOCVD加热器中的应用以及安泰科技在国产MOCVD设备研制中的工作。
针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.
Optical studi es of photol uminescence (PL), PL excitation (PLE), tim e-resolved PL (TRPL) and Ram an scattering have been perf ormed on In xGa1-xN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯片尺寸),刻蚀工艺复杂,价格昂贵,而且在刻蚀的过程中会对底部的反射镜以及量子阱造成一定的损伤.
本文应用量子化学计算的方法,对MOCVD中生长AlN的气相化学反应路径进行探讨.分别计算了TMA热解反应和加合反应路径的分子构型和势能面,同时考虑过量的H2和NH3对化学反应路径的影响.计算结果表明:TMA直接热解并分解出CH3自由基的能垒很高,这条路径很难进行下去.
三(乙酰丙酮)合铱(Ⅲ) [Ir(acac)3]易升华,分解温度低,是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备铱低维材料的理想前驱体[1-3].然而Ir(acac)3的合成技术仍被发达国家垄断,文献报道的关于Ir(acac)3的合成产率最高仅为22％,导致了我国使用的Ir(acac)3依赖进口,处于受制于人的局面.
日盲紫外光探测可避免最主要的背景光噪声源—日光的干扰,因此在民用与军事领域有着广泛的应用.三元化合物AlGaN具有直接带隙、耐腐蚀、抗辐射等的特性,通过调节Al组分,其带隙对应波长可由UV-A而至UV-C波段,是制作固态日盲紫外探测器的优选材料体系.
基于Ⅲ族氮化物的固态雪崩光电探测器(APD)因具有低操作电压、低功耗、小尺寸、无需冷却等优点而适合集成到航天飞机、卫星和一些军事装备上.具有本征日盲特征的AlGaN-APDs能够在太阳辐射背景下探测微弱甚至是单光子的日盲波段光信号,有希望部分替代目前需要在高压下操作的易碎的光电培增管.
在Ⅲ族氮化物的MOCVD中,由于气相寄生反应的存在,使薄膜生长效率下降.寄生反应随温度、压强、驻留时间等的增加而增加,不仅造成薄膜质量下降,生长速率下降,而且大部分MO源最终转化为纳米粒子,浪费了宝贵的源气体.在Ⅲ族元素Al、Ga、In与V族元素N的结合中,化学键能分别为2.88、2.20、1.98 eV,其中Al-N化学键能较强,而Ga-N和In-N化学键能较弱且二者接近.
GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子点激光器、量子级联激光器、共振隧穿二极管等领域.