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日盲紫外光探测可避免最主要的背景光噪声源—日光的干扰,因此在民用与军事领域有着广泛的应用.三元化合物AlGaN具有直接带隙、耐腐蚀、抗辐射等的特性,通过调节Al组分,其带隙对应波长可由UV-A而至UV-C波段,是制作固态日盲紫外探测器的优选材料体系.
AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的特性分析与性能改善
【摘 要】
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日盲紫外光探测可避免最主要的背景光噪声源—日光的干扰,因此在民用与军事领域有着广泛的应用.三元化合物AlGaN具有直接带隙、耐腐蚀、抗辐射等的特性,通过调节Al组分,其带隙对应波长可由UV-A而至UV-C波段,是制作固态日盲紫外探测器的优选材料体系.
【机 构】
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光电材料与技术国家重点实验室,中山大学物理科学与工程技术学院,广州,510275
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
其他文献
近年来,氮化物半导体InGaN材料以其优越的光伏特性,吸引人们探索其在太阳能电池方面的应用.InN带隙的重新修正,意味着InGaN材料的带隙随In组分的变化可以在3.4eV (GaN)到0.65eV(INN)之间连续可调,其对应的吸收光谱从紫外(365nm)一直延伸到近红外(1900nm),几乎覆盖整个太阳光谱,相比于其它的材料体系,InGaN合金更容易满足多结电池对材料带隙的要求,这给进一步提高
会议
利用氢化物气相外延法(HVPE)生长GaN半导体,通常使用的蓝宝石衬底与GaN晶格失配高达14％,这样会在生长过程中产生很多位错.研究人员提出了许多估算GaN晶体位错密度的方法,目前在半导体研究领域广为接受的是腐蚀法,利用腐蚀坑密度(EPD)来表征晶体的位错密度.
会议
AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.1eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,与高Al组份的AlGaN材料晶格更匹配,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料[1-2],在导弹探测、保密通讯等军事领域,以及医学治疗、污染处理、高密度数据存储、材料加工等民用领域具有重大的应用前景.
会议
作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,大功率LED近年来得到快速发展,但仍然存在散热不畅的瓶颈.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在工作时产生的热量不能够有效地传递到热沉上去,从而导致LED器件工作时的结温急剧升高,不仅降低了器件发光效率,也缩短器件的寿命.
会议
难熔金属以其高熔点、高硬度、高强度等独特的性能得到了广泛的应用。难熔金属主要包括钨、钼、铼、铌、钽、铬、钛、锆、铪等。本文简述了难熔金属钨、钼、铼制品的主要制备方法及其高温机械性能、电热性能。并重点介绍钨、钼、铼制品在MOCVD加热器中的应用以及安泰科技在国产MOCVD设备研制中的工作。
针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.
会议
Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures Grown on (11(2)2) Facet GaN/sapphir
Optical studi es of photol uminescence (PL), PL excitation (PLE), tim e-resolved PL (TRPL) and Ram an scattering have been perf ormed on In xGa1-xN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on
会议
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯片尺寸),刻蚀工艺复杂,价格昂贵,而且在刻蚀的过程中会对底部的反射镜以及量子阱造成一定的损伤.
本文应用量子化学计算的方法,对MOCVD中生长AlN的气相化学反应路径进行探讨.分别计算了TMA热解反应和加合反应路径的分子构型和势能面,同时考虑过量的H2和NH3对化学反应路径的影响.计算结果表明:TMA直接热解并分解出CH3自由基的能垒很高,这条路径很难进行下去.
会议
三(乙酰丙酮)合铱(Ⅲ) [Ir(acac)3]易升华,分解温度低,是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备铱低维材料的理想前驱体[1-3].然而Ir(acac)3的合成技术仍被发达国家垄断,文献报道的关于Ir(acac)3的合成产率最高仅为22％,导致了我国使用的Ir(acac)3依赖进口,处于受制于人的局面.