【摘 要】
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采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线。将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100%。通过调节氮化反应的温度
【机 构】
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清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,
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采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线。将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100%。通过调节氮化反应的温度及时间,系统研究了制备InN纳米线的最佳合成工艺参数。利用这种方法得到的氮化铟纳米线具有长径比高、直径分布单一、纯度高以及产量大的特点,为今后InN纳米器件的大规模制备和应用提供了一个有效的途径。
The cubic phase In2O3 nanowires with high aspect ratio were prepared by electrospinning. In2O3 nanowires were placed in NH3 gas stream for in-situ nitridation reaction to synthesize high-quality InN nanowires, the conversion rate was as high as 100%. By adjusting the temperature and time of nitridation reaction, the optimum synthesis parameters of InN nanowires were systematically studied. The indium nitride nanowires obtained by the method have the characteristics of high aspect ratio, single diameter distribution, high purity and large yield, which provides an effective way for the large-scale preparation and application of InN nanodevices in the future.
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