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半导体中高效的自旋注入是实现各种半导体自旋电子学器件的前提条件。在铁磁层和半导体中间插入一层势垒层可以有效避免电导失配问题，提高自旋注入效率。为了实现发光二极管中零磁场下的自旋注入，需要制备具有垂直磁各项异性的自旋注入端。我们在InGaAs/GaAs基量子阱发光二极管上成功制备了具有垂直磁各向异性的MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO自旋注入端，实现了零场下的自旋注入。