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铌酸锂具有优良的压电、电光、声光、光折变等性能,在波导、表面声波器件、光调制器、光开关等器件中具有巨大的应用价值.而铌酸锂晶体薄膜,尤其是在Si沉底上生长的薄膜,相对于体材料铌酸锂晶体的优势在于可以实现功能器件的整合.铁电体的光生伏打效应(APV效应)是近年来研究铁电晶体的光电性质时发现的一种新的、重要的物理效应.铁电材料APV效应可以得到比禁带宽度高2-4个数量级的开路电压[1],并且与材料的厚度相关.这就需要我们生长出c轴取向的铌酸锂薄膜.