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GaSbBi为一种新型窄带隙稀铋材料，旨在通过掺Bi达到引起能带收缩，在中红外激光器和中红外探测器中有着很重要应用前景。目前关于GaSbBi电子结构研究尚少开展。本文利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对不同生长温度下(360℃、370℃、390℃)的GaSbBi样品进行了测试，发现对于生长温度较高的样品，测量给出表观带隙趋于减小，这或与Bi融入含量的提高密切相关。另外，将分子束外延生长条件下生长的GaSb和GaSbBi对比研究发现，掺Bi样品形貌及带隙均有明显不同。