稀土磷化物光电性质的研究

• 作 者: 任玉芳;孟建;
• 机 构: 中国科学院长春应用化学研究所
• 出 处: 1986年中日电子敏感技术科学讨论会
• 发表日期: 1986年期
• 关键词: 光电效应 光电传感器 光电材料 磷化物 稀土化合物

该文研究了稀土磷化物（LnP）的光学、电学性质，并研究了它们和P-Si的成结条件及其光生伏特效应。lnpn＝la，Nd，Sm，Y）的电阻率很低，接近半导体的下限，从霍尔系数法和热探针法的实验结果指出：它们都是N型载流子导电的材料，载流子浓度很大。从光学性质的研究得到lnP（ln，Nd，Sm，Y）的禁带宽度为1.4～1.0电子伏特。把SmP和YP蒸锻在P型单晶硅片上，在光照下具有光生伏特效应。该研究在文献上尚未报导，有可能用作光电传感器。（本刊录）