甚大规模集成电路硅衬底CMP浆料与技术的研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiji1st

【摘要】

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碱性介质下集成电路硅衬底CMP的磨削速率与化学和机械两种作用有关,我们得到了硅衬底CMP的数学模型V=KPP(n-7)Tv.CMP浆料的悬浮性,粘度,表面张力,流动性都会对CMP的质量产生

【作者】

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李薇薇;周建伟;刘玉岭;王胜利;

【机构】

：

河北工业大学,微电子研究所,天津,300130

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

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碱性介质下集成电路硅衬底CMP的磨削速率与化学和机械两种作用有关,我们得到了硅衬底CMP的数学模型V=KPP(n-7)Tv.CMP浆料的悬浮性,粘度,表面张力,流动性都会对CMP的质量产生影响.我们通过实验找到了一种无毒无害,易溶于水,挥发性小,能生物降解,有利于环保的硅衬底CMP浆料.大量实验证明能够达到较好的应用效果.

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