【摘 要】
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近年来随着半导体照明技术的飞快发展,用于白光LED的稀土掺杂荧光粉的发展异常活跃,其中Ce3+掺杂的YAG黄色荧光粉获得了商业应用.Ce3+由于具有相对较快(~20-40 ns)的5d-4f允许宽谱跃迁发射,是闪烁体材料和照明、显色用发光材料的理想掺杂剂.例如Ce3+掺杂的LaBr3,Lul3闪烁体材料及YAG,CaAlSiN3白光LED用荧光粉具有接近100%的量子产率.但是在稀土倍半氧化物R2
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机涂层重点实验室,上海 200050;天津理工大学材料科学与工程学院,天津 300384
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近年来随着半导体照明技术的飞快发展,用于白光LED的稀土掺杂荧光粉的发展异常活跃,其中Ce3+掺杂的YAG黄色荧光粉获得了商业应用.Ce3+由于具有相对较快(~20-40 ns)的5d-4f允许宽谱跃迁发射,是闪烁体材料和照明、显色用发光材料的理想掺杂剂.例如Ce3+掺杂的LaBr3,Lul3闪烁体材料及YAG,CaAlSiN3白光LED用荧光粉具有接近100%的量子产率.但是在稀土倍半氧化物R2O3和铝酸盐RAlO3(R=La,Y,Lu)中,Ce3+离子却表现出荧光焠灭现象,既使在低温下也观察不到它的发光.通常认为这是由于Ce3+的5d激发态能级位于基质的导带之中,被激发的5d电子驰豫到基质导带中(Ce3+的光电离)后以非辐射衰减过程回到基态,从而引起Ce3+的发光猝灭.
其他文献
针对大功率LED及其发光模组的暖白光调整、散热管理以及点发光器件的匀光、眩光伤害问题,我们采用高温熔体冷却法,在空气中制备了Eu掺杂石英类红色荧光玻璃。通过调节石英玻璃中的成分,考察了结构-价态关系,促使Eu2+的特征发射被削弱,Eu3+的特征发射增强,从而实现了对制备中Eu3+向Eu寸转变的抑制,发射光谱的最强发射位于613nm,对应于Eu3+的5D0-7F2跃迁发射;如图1所示,激发光谱的三个
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现有的固态照明技术中的自光LED采用InGaN芯片/YAG:Ce3+荧光粉光转换白光模式,荧光粉通常采用环氧树脂以及硅胶进行封装,大功率发光元件以及发光模组在使用中的高热条件下,存在荧光粉和树脂的光衰和降解问题.我们针对LED器件与发光模组的YAG: Ce荧光体情况,通过结构设计,发展了一种快速制备合成高纯YAG:Ce发光陶瓷体的简便工艺,在不太苛刻的烧结条件下制得一种结构诱导价态的YAG发光陶瓷
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本文以St(S)ber工艺合成含SiO2微球的前驱体溶液为原料,采用溶胶凝胶法合成了发光二极管(LED)用的MSiO3:Eu2+(M=Ca, St, Ba)系列荧光粉,并对其结构与发光性能进行了详细研究.采用差热-热重(TG-DTA)、粉末X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)测量了三种样品的结构及其颗粒形貌与尺寸;同时用荧光光谱对它们的发光性能进行了表征.结果显示,所得三种荧光粉均
高显色节能灯由于色彩表现与还原能力较强,具有光效、光色、显色性、寿命的统一优点而日益受到关注.而发光材料作为高显色节能灯的关键性原材料之一,对于高显色节能灯的发展起决定性作用.本文选择已证明具有发射谱带宽、发光效率优良、潜在应用领域广的2SrO·0.84P2O5·0.16B2O3:Eu2+开展Ba2+共掺杂研究:采用高温固相法合成了Ba2+共掺杂的系列样品,用亮度仪、激发光谱分析仪、发射光谱分析系
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