【摘 要】
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现有的固态照明技术中的自光LED采用InGaN芯片/YAG：Ce3+荧光粉光转换白光模式，荧光粉通常采用环氧树脂以及硅胶进行封装，大功率发光元件以及发光模组在使用中的高热条件下，存在荧光粉和树脂的光衰和降解问题.我们针对LED器件与发光模组的YAG： Ce荧光体情况，通过结构设计，发展了一种快速制备合成高纯YAG：Ce发光陶瓷体的简便工艺，在不太苛刻的烧结条件下制得一种结构诱导价态的YAG发光陶瓷
【机 构】
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天津理工大学材料科学与工程学院,天津 300384 天津理工大学材料科学与工程学院,天津 3003
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现有的固态照明技术中的自光LED采用InGaN芯片/YAG：Ce3+荧光粉光转换白光模式，荧光粉通常采用环氧树脂以及硅胶进行封装，大功率发光元件以及发光模组在使用中的高热条件下，存在荧光粉和树脂的光衰和降解问题.我们针对LED器件与发光模组的YAG： Ce荧光体情况，通过结构设计，发展了一种快速制备合成高纯YAG：Ce发光陶瓷体的简便工艺，在不太苛刻的烧结条件下制得一种结构诱导价态的YAG发光陶瓷，可与蓝光InGaN芯片配合，获得白光.我们基于空气中价态稳定性的结构调控机理，主要依据是，首先是有效地提高三价Ce的含量，抑制四价Ce的含量，高价阳离子取代低价Al离子，不仅需要电荷补偿来保持电荷平衡，电荷(Al3+)+电荷(2Ce4+)=电荷(P5+)+电荷(2Ce3+)；其次是提高YAG相的纯度，高价阳离子取代低价Al离子，而且需要空位来保持电荷平衡.5/3Al3+ +2/3V(Al3+)=p5+，其中V(Al3+)表示Al3+形成的空位，空位与扩散系数成正比，所以空位的形成有助于加快反应速率，加快反应速率能够很好的抑制杂相YAP和YAM.
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