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Electrically driven single 3D micro-scale InGaN/GaN light-emitting diode on silicon substrate
【作 者】
:
【机 构】
:
School of Physics and Engineering,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510275,China
【出 处】
:
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
:
2015年期
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