反应磁控溅射法制备MgO薄膜

• 作 者: 魏强 李亨 胡文波 吴胜利
• 机 构: 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 陕西西安710049
• 出 处: 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
• 发表日期: 2013年期
• 关键词: 反应磁控溅射 法制备 成核和生长 晶粒生长 衬底温度 气体流量 结晶取向 溅射生长 反应溅射 表面 MgO薄膜 择优 室内 生成 加速 过程 关系 方法

利用反应磁控溅射的方法在Si衬底生长MgO晶粒,通过改变溅射过程中的温度以及溅射室内Ar与O2气体流量,来调整MgO薄膜的晶粒生长.随着Ar/O2中O2分量的提升,结晶取向择优(220)方向.而MgO晶粒的形成与溅射生长衬底温度有直接的关系,随着温度的提高,加速反应溅射表面的成核和生长,使得表面有较大的MgO晶粒生成.