【摘 要】
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提出了考虑二次电子发射随机性的快速单粒子蒙特卡罗方法,用以计算平行平板结构中TEM模式下微放电阈值.首先,对电子的出射位置、能量、出射相位和角度等参数进行初始化,采用
【机 构】
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西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室 西安 710049
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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提出了考虑二次电子发射随机性的快速单粒子蒙特卡罗方法,用以计算平行平板结构中TEM模式下微放电阈值.首先,对电子的出射位置、能量、出射相位和角度等参数进行初始化,采用龙格库塔法进行电子推进,再应用二次电子发射Furman模型得到二次电子倍增系数,将多次碰撞的二次电子倍增系数取平均得到有效二次电子倍增系数作为放电发生的判断标准,并绘制了的微放电敏感区域图,这与微放电统计模型所得的结果取得了很好的一致性;然后,以蒙特卡罗方法绘制的微放电敏感区域图作为参考,选取几个特定的频率点,应用CST软件对其进行验证.结果表明,单粒子蒙特卡罗方法得到的阈值与粒子模拟结果相比误差很小,而且计算效率得到了极大地提高.
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