端位二氰基乙烯基修饰的寡聚噻吩类电子受体材料的合成及其光伏性能研究

• 作 者: 武建昌 马玉超 马昌期
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所,印刷电子技术研究中心,苏州工业园区若水路398号,215123
• 出 处: 中国化学会第29届学术年会
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 氰基 乙烯基 聚噻吩类 电子受体 材料的合成 有机太阳能电池 聚噻吩衍生物 可见光区域

　　二氰基乙烯基(DCV)具有强吸电子性[1,2],利用其作为端基合成了系列寡聚噻吩衍生物.该系列材料在可见光区域有很强吸收,其LUMO轨道能级与聚(3-己基噻吩)匹配.利用其作为电子受体,P3HT作为电子给体制备的非富勒烯基有机太阳能电池器件开路光电压可达0.83 V,光电转换效率达到1.2％.