【摘 要】
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含有烷基噻吩结构的苯并二噻吩(TBDT)具有更强的π-π堆积,更高的迁移率,及更高的光电转换性能1,2.在本论文中,我们合成了四种对称结构的基于4,8-双噻吩取代苯并二噻吩内
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,印刷电子技术研究中心,江苏 苏州,215123
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含有烷基噻吩结构的苯并二噻吩(TBDT)具有更强的π-π堆积,更高的迁移率,及更高的光电转换性能1,2.在本论文中,我们合成了四种对称结构的基于4,8-双噻吩取代苯并二噻吩内核的线性分子DCV-nT-TBDT(Fig.1). 该系列分子利用TBDT作为核心,3-己基噻吩作为π-共轭桥联单元,并在分子的两端引入受体单元,改变3-己基噻吩单元的数目和调节不同的端基,从而改变分子的结构以及共轭链的长度,以此得出π-共轭桥联单元的长度对分子结构性能的影响.此外,对其光谱吸收性能(Fig.2)、电化学氧化还原过程、分子结构量子力学模拟以及器件应用性能等进行了系统的研究.
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